Micron（镁光）及Nanya（南亚）公司正式宣布两家公司成功完成了42nm DRAM工艺 2Gb DDR3内存产品的开发工作。随着工艺的进一步提升，新款2Gb 42nm DDR3内存的性能将可以获得进一步提升，其运行频率将可以达到1866MHz。另外在采用了新工艺之后内存芯片体积进一步缩小，因此其最高容量将可以达到16GBs。 www.029diy.com
42nm制造工艺 西安赛格电脑城报价
新42nm工艺采用的是1.35V的工作电压，可以满足主流市场的需求。与前一代产品1.5V的工作电压相比更节能。随着服务器对于内存需求的不断提升，使用1.5V内存时功耗最高将会达到21W，而1.35V的工作电压将可以使得功耗最高降低30％，这样同时降低了对电源及散热方面的需求。
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据了解42nm工艺2Gb 1866MHz DDR3内存芯片的出样工作将会在2010年2季度完成，量产将要等到下半年。 西安赛格电脑城报价
据Micron介绍，这个42nm DRAM工艺使用了更具效率且可靠的copper metallization（铜金属）技术，与其它材料技术相比如铝，铜拥有更出色的可扩展性、可靠性及更具性价比。与此同时Micron 和 Nanya还在进行新一代30nm工艺的开发工作。 西安电脑配件报价
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